不玩7nm AMD“前女友”用12nm造出高性能3D芯片

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去年,正在三星和台积电的7nm工艺临阵待发时,GF总爱签署了一项重要的战略转变,决定停止在7nm工艺技术的所有工作及后续制程的研发,将专注于为新兴高增长市场的客户提供专业的制造工艺,包括射频芯片和嵌入式存储芯片等低功耗领域。不过,先进半导体制程的提升难度没有 大,无论英特尔还是台积电,都不 通过先进封装技术进一步提升性能。目前看来,GF也加入其中。这可能导致 半导体先进工艺的竞争,正在进入一个多多多多多新的阶段。

GF(GlobalFoundries,格罗方德)本周签署,它已采用其12nm FinFET工艺制科学发明高性能3D Arm芯片。GF认为,那些高密度3D芯片将为计算应用提供“新级别“的系统性能和能耗,这个 AI / ML以及高端设备和无线处里方案。”

3D芯片的竞赛

测试芯片采用GF的12nm(12LP)FinFET工艺制造,同去在3D面中使用Arm的网状互连技术。这使得芯片更容易扩展出更多的核心数量,因此数据不必还都还可不可以更直接地从一个多多多多多内核移动到前一天内核。而3D芯片还都还可不可以在数据中心、边缘计算以及高端消费设备中降低延迟,提升数据传输速度。

“在大数据和认知计算时代,先进的封装技术正在发挥比以往更大的作用。人工智能的发展对高能效,高吞吐量互连的需求,正在通过先进的封装技术的加速发展来满足。 “GF的平台首席技术专家John Pellerin在一份声明中表示。

“亲戚朋友 很高兴与Arm等创新合作协议协议伙伴合作协议协议,提供先进的封装处里方案,进一步集成各种节点,优化逻辑尺寸,提高内存速度和射频性能。这项工作将使亲戚朋友 对采用先进的封装技术产生新的见解,使亲戚朋友 同去的客户不必还都还可不可以更有效地创建详细、差异化的处里方案。“

两家公司可能使用GF的晶圆级邦定(wafer-to-wafer bonding),验证了3D设计测试(DFT,3D Design-for-Test)最好的法律法律依据。GF表示,该技术每平方毫米还都还可不可以实现高达60 万个3D连接,使其具有高度可扩展性,并有望延长12纳米3D芯片的使用寿命。

Arm是最近一家对3D芯片表现出兴趣的IP公司之一。英特尔去年签署了其对3D芯片堆叠的研究,AMD也讨论了在其芯片上的3D堆叠DRAM和SRAM,当然,闪存NAND公司可能生产了3D存储芯片。业界似乎致力在不久的将来制造更多3D芯片。

先进节点滞后,GF专注3D芯片

GF最近不得不承认它无法为AMD推出Zen 2芯片提供7nm工艺。这极大地影响了两家公司之间长达十年的关系。当然,AMD仍然是GF的客户,但比前一天小得多。

GF不得不为未来重塑自我,可能摩尔定律可能放缓,缩小半导体工艺节点变得没有 困难和昂贵。转向3D芯片制造似乎助于GF保持与客户的关系,可能其客户要求每年制科学发明更高性能的芯片。

可能12nm工艺更加心智心智心智成熟,因此在3D面上开发芯片应该更容易,而不必说担心新的7nm工艺可能带来的现象。然而,台积电、三星和英特尔不必还都还可不可以在比GF小得多的节点上开发3D芯片如果 时间现象。可能是前一天句子,GF可能不得不继续专注于生产具有“老技术”的高价值3D芯片。

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